ZTD-800B單晶矽爐

ZTD-800B單晶矽爐

ZTD-900B單晶矽爐

ZTD-950B單晶矽爐

技術參數：

設備用途：

ZTD-800B單晶矽爐爲生産太陽能(néng)電池用的單晶爐什通，坩埚尺寸18-22英寸，産量從60-130Kg，單晶矽棒直徑兒空6.5-8英寸，設備高度爲6.1-6.7米美商，主要可生産主流8英寸單晶矽棒。

本公司可提供生長(cháng)工藝，保證家對生長(cháng)出合格的單晶明我矽。設有樣(yàng)機，歡迎來人參觀考察。

ZR-12-10實驗用中溫真空爐

詳細描述：

采用箱式爐結構爐櫃一體化設計，适用高校科研單位進(jìn)行材料的真空或保護氣地如氛下的熱處理，爐内設有一耐熱鋼爐罐，罐内安裝有料台及保溫層。

主要參數如下：

1.額定功率：12kw

2.爐罐内尺寸：160*250*400mm

3.高溫度：1000度

4.極限真空度：＜10Pa

ZR-12-11真空電阻加熱爐

設備用途：

本設備是用鎳鉻合金絲作發(fā)熱笑子元件的實驗用内熱式真空熱處理爐，爐體與控制櫃一體化結構，卧式爐體，側面(mià問喝n)打開(kāi)爐門，适用于金屬材料在高真空、中溫條件下進(j農物ìn)行回火、退火、釺焊、燒結、除氣處理，同時(shí)也适于金屬化合物村冷的真空熱處理用。

設備特點：

整個設備爲方形箱體結構，卧式爐體，裝取料方便；所有動作操作樂短均在爐體正面(miàn)操作完成(chéng)，操作方便，集控制櫃紙男與爐體一體化結構，占地小，節約占地面(m關讀iàn)積；耗水量少，使用方便，用戶隻要水、電齊全就(jiù)可以直接跳筆使用，集成(chéng)安裝水、電、氣接口。司吧

主要技術參數：

1、額定功率：12KW

2、額定使用溫度：1100℃（氣氛保護下）

3、大有效加熱空間：Φ120×200㎜

4、冷态極限真空度：5×10-4 Pa

5、壓升率：≤2.0 Pa/h

6、電源：380V/50Hz

7、充氣介質：氩氣、氮氣或少量氫氣

8、大充氣壓力：＜0.03MPa

9、控溫精度：±1℃

ZT-50-16晶體退火爐

用途：

真空晶體退火爐是用石墨作發(fā)報人熱元件的立式實驗用真空電阻爐，爐討說底裝料電動升降，供金屬化合物、陶瓷、錯低無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛中燒結制品。

技術參數：

1、型式：立式，底盤下沉

2、額定功率：50±10%Kw

3、電源電壓：三相  380V &n水視bsp;50Hz

4、高溫度：1600℃

5、工作區尺寸：Φ300×300

6、升溫速率：15℃/min

7、恒溫區溫度均勻性：≤±10℃（內站1400℃）

8、冷态極限真空度：6.67×10-3P樹件a

9、工作真空度（空爐）：5×10-2Pa

10、壓升率：≤2Pa/h

11、1路充氣管路，充氣冷卻

12、充氣壓力：＜0.03MPa（相對(duì)壓力）